盗墓小说

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第149章 半导体领域变天的开始一环套一环的战略分鹰计求订阅（第1页）

老鹰这边还在为东方因为新材料突破而衍生的诸多新科技设备而忧虑的时候。

忽然有人跑来大声喊叫。

“boss，出大事啦”

乔纳森等人的目光看向来人。

“boss，看看新闻，你们看东方的官方军事新闻频道。”

乔纳森扭头，示意对方切换信号源。

很快，纯正的东方话配合着相应的某个科技工厂画面开始播出。

负责收集信息的人已经将ai翻译安排好。大家可以轻松看到上面讲述的内容到底是什么。

此时，军事频道的新闻已经讲述了很长一段时间。

“虽然军事用途的半导体芯片无须更高，更精准地制成，但是在民用芯片领域，更高的制程代表着芯片具备更好的性能，大幅度提高的运算度。”

“在光刻机领域，国际上有两种光刻模式，即duv光刻机与euv光刻机。duv光刻机有很大限制，国际最先进的光刻机均采用euv模式。”

“而euv光刻系统里，我国科研团队在突破高精度真空双工件台后。又开始朝高精度弧形离轴反射镜构成的光学系统进行攻坚”

“因为大部分材料对135n的euv都强烈吸收，故euv光刻机无法采用duv那样的透镜光刻，只能采用反射式光学系统。又因为euv波长与晶格参数接近，很容易生衍射，反射率也很低，最终的光学反射方案是基于布拉格定律，采用多层镀膜的钼硅的分布式布拉格反射镜方式”

看到这些东西，乔纳森的目光看向助手“能听懂他们说的是光刻机的什么技术吗”

“sir，我想我们需要精通中文的专家翻译。”

“法克，还不快去找”乔纳森情绪有点失控了。

他揉下越秃的头“安娜，这到底是怎么一回事这个新闻讲述的是光刻机的什么”

助理安娜将一份东方那边刚传来的翻译过的公告递给乔纳森“是这個。”

「祝贺我国突破euv光刻机所有技术难关，采用d源顺利完成7纳米级的光刻工作，完美运行16时，达到世界领先水平」

看到这个，乔纳森大脑顿时有点蒙了。

他不知道光刻机的d源是什么，但他只知道7纳米级的光刻机还有完美运行16时意味着什么。

这意味着老鹰这边引以为傲的最先进的半导体芯片技术封锁，彻底成为笑话。

要知道在他的资料柜中，他们最先进成熟的光刻机工艺还停留在7纳米级别。

最近正在为5纳米芯片而头疼。

东方已经掌握了7纳米工艺，即便对方要进行一系列的测试等工作，双方差距也只有不到1年了。

一旦东方彻底掌握最先进的半导体芯片，那么以东方的工业生产体量，西方的半导体产业必定会迎来灾难性的后果。

“法克法克法克”乔纳森拍打着头，痛苦道“将这些资料整理好，我去汇报我们的boss。”

几个小时后，某个奢华的宫殿内。

金老人坐在位，诸多老鹰有权势的人列在四周。

他们的目光看向七八个带着厚重眼镜，注意力却一直放在手中打印出来的期刊资料的学者身上。

如果西方有对光学有研究的人，一定会肃然起敬。

因为这些人都是在半导体领域的权威人士。

如某个脉冲激光实验室的麦艾斯教授，供职常青藤大学，在世界科学界享有盛誉的大科学家。还有几个则是微软或ad的大工程师。

这些人的目光并没有观看几个小时前的视频资料，而是放在一份十二个小时前，由东方向世界各地权威期刊布论文。

「论euv光刻机采用磁约束方式对d源进行精确定位融束，用于光刻的验证方案」

它就是一篇为了占专利坑的论文。

是一篇震慑海外的技术论文

也是一篇打脸西方科学界的论文。

这篇论文结合之前东方的光刻机突破公告，会对海外造成一些非常要命的伤害。

该篇论文隐藏大量关键细节和数据，但智商正常的科学家们，都可以通过工程复刻的方式，来验证这篇论文的真实性。

它的技术原理并不复杂，是当前科学界都掌握的原理。

但是它的设计思路脑洞大开，而且思路极其清晰。

谁能想到突破光刻机精确光刻的技术难题，竟然可以用核聚变的一些验证技术解决呢

在euv极紫外光光刻机细分领域中，有两种最主流的方案，即d源方案和源方案。

源光刻即是用高能脉冲激光轰击液态锡靶，形成等离子体后产生波长135纳米的euv光源，然后对硅片进行加热刻录。西方跟阿斯麦掌握的是光源方案，并且非常成熟。

另外一个叫d方案，这个难度更加大。

因为d光源调控难度大，轰击液态锡靶时会出现大量锡渣，如果无法用工程技术方案处理掉所有杂锡，会让它们破坏硅片晶圆，进而导致光刻失败。

而如今，东方通过奇思妙想突破了这个工程难题。

并且用这个技术完成了海外的半导体领域封锁。

这可不是活生生的打脸